美光：AI讓記憶體潛力無窮

全球第三大DRAM廠美光執行長梅羅塔昨（6）日表示，AI時代來臨，需要強大的記憶體支援，看好AI將讓記憶體後市潛力無窮，並扮演AI蓬勃發展的要角。美光將在台灣串聯先進製造、探測與封裝測試能量，生產旗下支援AI應用、最先進的高頻寬記憶體（HBM）。

美光是台灣最大外商，在台累計投資超過300億美元（逾新台幣9,400億元），昨天舉行台中四廠啟用典禮，梅羅塔親自出席，顯示對台灣與新廠的重視。梅羅塔宣布美光要在台灣生產旗下最先進的AI用高頻寬記憶體，讓台灣在全球記憶體製造的地位更形重要。

美光並未透露台中四廠投資金額。梅羅塔強調，AI無所不包，但若少了記憶體，全球就沒有辦法運作AI。受惠於AI運用蓬勃發展，為記憶體產業帶來很好的新機會。

梅羅塔說，美光新啟用的台中四廠除了整合先進封裝測試，未來也會領先全球量產旗下為AI應用打造的、最先進的高頻寬記憶體「HBM3E」。

他強調，即便美光在高頻寬記憶體開發腳步比較晚，可是經過和夥伴、客戶密切合作後，美光已能做到八層DRAM堆疊的高頻寬記憶體，厚度僅為人類頭髮的一半，頻寬可達24GB。

梅羅塔並盛讚台灣為美光帶來的優勢，強調美光在記憶體技術享有龍頭地位，都要歸功於台中、桃園廠所做的努力，另外，除了客戶正在打造從雲端一路到邊緣運算的產品，美光也在自己的工廠部署智慧製造的應用，將能更快推出最新的科技。

美光副總裁暨先進封裝主管辛赫補充，美光的HBM3E產品，是以旗下1-beta製程製造，為領先三星和SK海力士的最先進製程，並且具備最先進的TSV穿孔技術，且矽穿孔的穿孔間距是業界最小，有助散熱，充分說明美光在業界的競爭優勢。

台灣美光董事長盧東暉透露，台中四廠的工廠設計改了好幾次，並在疫情期間持續建造，正逢旗下HBM3E產品產能擴增，隨著產業景氣周期逐漸恢復，加上高頻寬記憶體業務持續擴展，台灣美光也開始研究要增加員工。

談到記憶體產業景氣，盧東暉預期可望非常快速復甦。美光看好台中四廠除了加速推動公司部署領先DRAM技術外，對於日本及台灣擴大1-beta 製程、HBM3E產能，以及2025年採用極紫外光（EUV）技術量產1-gamma製程都發揮關鍵作用。