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HBM高度客製 明年需求仍看好

2024/10/11    上一則 下一則

  高頻寬記憶體(HBM)供需問題,成為記憶體產業界高度關注問題 ,法人機構調查後發現,2025年HBM需求有上升空間,且因客製化程 度高,通用性也不強,在國際廠商計畫性生產下,預期2025年不易有 超額供給問題。

  HBM是一種可以用於高速運算、能運送大量資料的記憶體,目前市 場由三星、SK海力士與美光三大DRAM廠所壟斷。

  台系廠商未生產HBM,因此法人關注重點在於,三大DRAM廠產能擴 產情況,對整體DRAM供需及報價的影響,以及台廠如威剛等,在HBM 延伸應用領域的進度。

  市場法人分析,2025年HBM主流規格,將轉為8層和12層的HBM3E, 其中,12層的HBM3E將搭配輝達(NVIDIA)的Blackwell系列,以及超 微(AMD)的MI325、MI350等AI加速器使用。

  根據外資券商瑞銀證券調查發現,儘管市場上輝達晶片延遲出貨傳 聞不斷,但該券商重申,三星及SK海力士的12層HBM3E,皆將於2024 年第四季開始出貨給輝達。

  該券商預測,隨著客戶詢問熱度不退,2025年HBM需求,仍有上升 空間,可能接近或超過瑞銀預測的223億GB。

  另據市場法人調查發現,由於HBM客製化程度高,需通過輝達、超 微及ASIC方案商驗證通過,才能正式出貨,屬計畫性生產,供給增加 量有限。

  在製程上,HBM前段製程與DDR5共用,後段矽穿孔(TSV)及熱壓鍵 合(TCB)等設備為特殊用途。HBM供應商不致於因設備的折舊壓力, 而生產過多產品,因此,研判2025年HBM出現供給過剩的機率不大。

  法人預期,三星、SK海力士與美光三大DRAM廠商,在2025年將致力 於升級到1b/1β,甚至1c奈米製程,以應對未來伺服器市場對下一 代高頻寬記憶體HBM3E、128GB或更高DDR5模組需求。

  至於用於生產DDR4、DDR3等成熟製程供給,三大DRAM廠商則將持續 減少,因此,法人研判,2025年DRAM市場供需有望維持平衡。
  
        


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