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急改DRAM產線 SK海力士轉生產HBM3E

2024/09/13    上一則 下一則

高頻寬記憶體(HBM)需求殷切,外傳SK海力士將在南韓利川半導 體廠M10F改裝DRAM生產線,轉為生產第五代HBM3E,而M10F生產線啟 動後,SK海力士HBM月產能可望增加至15萬片。

  根據外電報導,SK海力士正在將生產DRAM的M10F產線,轉生產HBM ,M10F產線將用來生產HBM3E,目標是在2025年初前,完成基礎設施 建設,並從2025年第一季開始引進設備。

  業界人士預估,M10F產線每月約可生產1萬片HBM,產線規模比既有 HBM產線小。目前SK海力士HBM月產能約為14萬片,M10F產線正式投產 後,SK海力士HBM月產能將增至15萬片。

  AI已成為科技業軍備競賽,而HBM是其中最重要元件之一,AI晶片 組每處理一次任務,GPU就會把資料傳送至記憶體,需要HBM的高速資 料傳輸能力。

  據了解,美國七大科技巨擘,包括蘋果、微軟、Google、亞馬遜、 輝達、臉書及特斯拉,均向SK海力士提出供應HBM的要求,致使SK海 力士積極擴充HBM產能。

  考量M10F量產時間等因素,SK海力士將從2024年第四季訂設備,並 將引進用於記憶體堆疊(Stacking)的封裝設備、測試設備等。

  SK海力士競爭對手三星電子、美光等公司,也正在擴大HBM產量, 加上長鑫存儲等中國業者宣布進軍HBM市場,SK海力士為因應此狀況 ,已訂下「專注量產最先進的HBM」的戰略,之後將專注開發、量產 最先進HBM,並逐步淘汰舊產品。
        


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