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美光唱旺記憶體 啟動大擴產

2026/03/20    上一則 下一則

美國記憶體大廠美光受惠AI驅動記憶體缺貨漲價潮,上季財報與本季展望優於市場預期,本季毛利率預估衝破八成,創半導體製造業驚人記錄,甚至比輝達與台積電還高,執行長梅羅塔高喊記憶體持續供不應求,將擴大本年度與明年度資本支出擴產。

美光18日舉行財報會議,宣布截至8月底止的本年度資本支出將逾250億美元,明年度資本支出更將「大幅提高」,製造設備與廠房興建相關成本將增加逾百億美元。

法人指出,美光持續看旺後市,台灣南亞科、華邦、威剛、十銓、宜鼎、群聯等記憶體相關廠商也將沾光,惟美光大手筆擴產,也讓市場憂心後續新產能開出後,是否影響記憶體「景氣超級周期」走勢。

受相關疑慮影響,加上股價已先行創高,美光公布財報後,18日盤後股價由紅翻黑,下跌近4%,19日早盤一度重挫6%。台灣記憶體相關族群則走勢不同調,威剛、十銓、宜鼎等逆勢收紅;華邦、南亞科跌逾4%。

美光結算,上季營收239億美元,季增75%,年增196%。其中,占該公司近八成業績的DRAM相關營收年增2.07倍,儲存型快閃記憶體(NAND Flash)業績則年增1.69倍。

美光上季獲利更是驚人,Non-GAAP毛利率高達74.9%;淨利140.2億美元,季增1.55倍,年增6.86倍;淨利率達59%,稀釋每股純益12.2美元。美光表示,上季DRAM平均銷售單價季增約65%,NAND晶片平均銷售單價則季增約78%。

美光執行長梅羅塔指出,上季表現超乎預期,「營收、毛利率、每股純益及自由現金流全都創新高」。

更令市場驚豔的是,美光估本季營收將達335億美元,超越該公司2024會計年度以前的全年業績,毛利率展望達約81%,毛利率預估甚至比輝達、台積電都高。梅羅塔預期,本季營收、毛利率及自由現金流也將創紀錄,AI與傳統伺服器正面臨「缺乏充足的DRAM和NAND晶片供應」。

美光透露,業績與展望之所以能大幅提升,主要是AI驅動記憶體需求增長、結構性供應限制,以及公司在各方面強大執行力所共同促成的結果。該公司並透露,簽署了第一份長達五年的供貨合約協議。

資料中心用的HBM方面,美光指出,HBM4產品產能爬坡與量產出貨持續推進,預期將比HBM3E更快達到夠成熟的良率。為輝達Vera Rubin平台生產的HBM4將在今年6月至8月間量產,下一代HBM4E開發順利,估計明年開始量產。   


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