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股票名稱 報價日期 昨日均價 均價 漲跌 漲跌幅
力晶科技  2018/09/25 22.0 22.4 ▲0.40 1.79%
股票類別 資本額 董事長 統一編號 發行與否  
下市下櫃 241.42  陳瑞隆  84149385  已公開發行  即時行情 
基本資料 股東權益 董監持股 重大新聞 報價趨勢圖 損益表

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公告本公司取得美國專利局核發US 9437600專利

2016/12/29    上一則 下一則

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:快閃記憶體閘極結構及其製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/063.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 228,8114.其他應敘明事項:本發明提供一種快閃記憶體閘極結構的製作方法,包含:首先提供一基底,再依序形成一第一絕緣層、一第一導電層和一第二絕緣層覆蓋基底,然後在第一導電層和第二絕緣層內形成至少一第一溝渠,之後形成一第二導電層和一遮罩層覆蓋第二絕緣層,其中第二導電層填滿第一溝渠,接續形成複數個圖案化遮罩層,接著於各個圖案化遮罩層之兩側各形成一側壁子,最後以圖案化遮罩層與側壁子為遮罩蝕刻第 一導電層,直至第一絕緣層曝露出來,以形成一第一閘極結構和一第二閘極結構。<摘錄公開資訊觀測站>


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